注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
抵抗・コンデンサ・インダクタに続く第4の受動素子｢メモリスタ(memristor)｣の製造にHP研究所が初めて成... 抵抗・コンデンサ・インダクタに続く第4の受動素子｢メモリスタ(memristor)｣の製造にHP研究所が初めて成功した(EETimes Japanの記事、Nature掲載論文)。抵抗値を変化させることで、その素子を通過する電流の変化を記憶する特性を備えている素子の存在の可能性は1971年に既に指摘されていたが、これまでそれが実現されることはなかったとのことだ。今回HP研究所が実現したメモリスタは、二酸化チタン(TiO2)の薄膜を利用して作成されており、電流が通過すると抵抗値が変化する。また、微細化を進めても無駄な消費電力による発熱の問題は生じないので、ナノスケールの回路作成に向いているということだ。HPでは、メモリスタを超高密度クロスバー・スイッチに適用することを目指しているという。
2012/05/17 リンク