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Intelは8月8日（現地時間）、QLC 3D NANDを採用したM.2 NVMe SSD「660p」シリーズを発表した。転送速度や書き込み耐性がTLCに比べてやや下がる代わりに、512GBモデルで市場想定価格99ドルという低価格を実現した。日本での発売時期は未定。 512GBモデルのシーケンシャルリードは1500MB/s、シーケンシャルライトは1000MB/s。総書き込み容量（TBW）は100で、製品寿命（MTBF）は160万時間以下。 比較に、TLC採用のM.2 MVNe SSDである「760p」の512GBモデルを見ると、リード3230MB/s、ライト1625MB/s、228TBW、MTBF160万時間であるため、660pは転送速度や書き込み耐性で760pには及ばないことが分かる。 その代わり、760p 512GBモデルの市場想定価格が199ドルであるのに対し、660p 512GBモ
結果 図3に学習の経過を示します． 図上部が位置誤差(location loss)とクラス分類誤差(confidence loss)，そしてその合計(overall)を表しています． 図下部はvalidationデータサンプルに対するクラスごとのAverage Precision (AP)と，全クラスに対するmean Average Precision (mAP)です． 図3 SSD(VGG16)での学習経過 Exponential shiftによりlearning rateが小さくなった点(80000 iteration)において，lossが一気に下がっているのがわかります．100000 iteration以降は精度も飽和しています． 最終的なmAPは0.561を記録しました． デフォルトのパラメータで学習した割には安定して精度が出たので，これをベースラインとしてアーキテクチャを変更し，
この記事では、ソリッドステートドライブ (SSD) や他のフラッシュメモリベースのストレージデバイスの取り扱いに関するトピックをカバーしています。 特定の目的のために SSD をパーティショニングしたい場合、フラッシュメモリ向けに最適化されたファイルシステムのリストで検討すると良いかもしれません。 一般的な利用では、自由にファイルシステムを選び、#TRIM を有効化すると良いでしょう。 使用法 TRIM ファイルの削除がファイルシステムレベルのみで処理される[1]ハードドライブと比較して、SSD は、メモリブロックが解放されて再利用可能になったときにディスクコントローラに通知することで利益を得ます。SSD を構成するフラッシュセルは書き込み操作の度に少しづつ摩耗するため、ディスクコントローラは全てのセルに書き込み操作を分散させるアルゴリズムを使用します: この処理はウェアレベリングと呼ばれ
2013年からTech Reportが継続していた「SSD耐久試験」は、SSD主要6モデルに特別なプログラムを使って尋常ではない量のデータを書き込みまくって再起不能まで追い込むというもので、耐久性に不安を持たれがちなSSDの信頼性を判断するのに大いに役立つデータとして注目を集めています。そして、最後まで生き残ったモデルもついに息の根を止められ、1年半にわたって続けられたSSD耐久試験が完全に終了。そこからSSDの信頼性に関するおそるべき事実が明らかになっています。 The SSD Endurance Experiment: They're all dead - The Tech Report - Page 1 http://techreport.com/review/27909/the-ssd-endurance-experiment-theyre-all-dead ◆これまでのテスト経過
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